液晶表示装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311737
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153618
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】 N+a-Si/a-Siのエッチングにおいて、下地であるSiNxのエッチングを防ぐとともに、a-Siのエッチング残りによるソース・ドレイン間、ソース・ソース間の高抵抗接続を無くし、表示品位の低下を防ぐ。【解決手段】 N+a-Si/a-SiをエッチャントとしてSF6とHeに流量比10〜15%のHclを添加した混合ガスを用いてエッチングする。このエッチャントはSiNxとのエッチング選択性が高く、また、N+a-Si/a-Siの界面での残留物によってもエッチングの進行が妨げられることが少ないので、良好なパターニングが行われる。

請求項（抜粋）：

基板上に、第1の導電性薄膜を形成し、これをフォトリソグラフィーを用いてエッチングすることにより、薄膜トランジスタのゲート電極及び前記各ゲート電極を同一行について共通に接続するゲートラインとを形成する工程と、前記ゲート電極及び前記ゲートラインを覆う第1の絶縁性薄膜層を形成する工程と、前記第1の絶縁性薄膜層上に、第1の非単結晶シリコン層を形成する工程と、前記第1の非単結晶シリコン層上に第2の絶縁性薄膜層を形成する工程と、前記第2の絶縁性薄膜層を、フォトリソグラフィーを用いてエッチングすることにより、前記ゲート電極に対応する領域に島状に残す工程と、前記第2の絶縁性薄膜層が島状に残された前記第1の非単結晶シリコン層上に、不純物を含有した第2の非単結晶シリコン層を形成する工程と、前記第2の非単結晶シリコン層及び前記第1の非単結晶シリコン層をフォトリソグラフィーを用いてエッチングして、前記第2の絶縁性薄膜層が島状に残された領域と、これの両側にはみ出されたソース及びドレイン領域に残す工程と、前記第1の絶縁性薄膜層上の、薄膜トランジスタが形成されない領域に、透明導電層からなる液晶駆動用の表示電極を形成する工程と、前記第1の非単結晶シリコン層、前記第2の絶縁性薄膜層、前記第2の非単結晶シリコン層及び前記表示電極が形成された基板上に、第2の導電性薄膜層を形成し、これをフォトリソグラフィーを用いてエッチングすることにより、前記第2の非単結晶シリコン層のソース及びドレイン領域上に残し、それぞれ薄膜トランジスタのソース電極及び前記ドレイン電極を形成し、前記ソース電極を前記表示電極に接続するとともに、前記ドレイン電極を同一列について共通に接続するドレインラインを形成する工程、とを有する液晶表示装置の製造方法において、前記第2の非単結晶シリコン層及び前記第1の非単結晶シリコン層をエッチングする際、エッチャントとして、SF6、He、Hclを含む混合ガスを用い、かつ、Hclの流量比を10〜15%の範囲内にしたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 627 C , G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-282839
特開平3-222417
プラズマエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-324549 出願人：株式会社東芝

前のページに戻る