特許

J-GLOBAL ID：200903092966931458

絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法

発明者： 石田 裕康 ,  万代 忠男 ,  牛田 敦也 ,  斎藤 洋明
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-182487
公開番号（公開出願番号）：特開2007-005492
出願日： 2005年06月22日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：

【課題】従来構造ではソース領域およびボディ領域(バックゲート領域)が共通のソース電極とコンタクトしており、ソース領域とバックゲート領域の電位を個別に制御することができない。従って、このようなMOSFETを双方向スイッチング素子に用いる場合には、2つのMOSFETを直列に接続し、制御回路によってMOSFETのオンオフおよび寄生ダイオードの制御を行っており、装置の小型化を阻んでいた。【解決手段】ソース領域にコンタクトする第1電極層とボディ(バックゲート)領域にコンタクトする第2電極層を設ける。第1電極層と第2電極層は絶縁され、それぞれトレンチの延在方向と異なる方向に延在する。第1電極層と第2電極層に個別に電位を印加でき、寄生ダイオードによる逆流を防止する制御が行える。従って1つのMOSFETで双方向のスイッチング素子が実現できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板に一導電型半導体層を積層したドレイン領域と、 前記半導体層表面に設けた逆導電型のチャネル層と、 前記半導体層表面において第1方向に延在し、チャネル層を貫通する深さを有するトレンチと、 該トレンチの内壁に設けたゲート絶縁膜と、 前記トレンチに埋め込まれたゲート電極と、 前記トレンチに隣接し前記チャネル層表面に設けられた一導電型のソース領域と、 前記トレンチおよび前記ソース領域に隣接し前記チャネル層表面に設けられた逆導電型のボディ領域と、 前記ソース領域上に設けられ、前記半導体層表面において第2方向に延在する第1電極層と、 前記ボディ領域上に設けられ、前記半導体層表面において第2方向に延在する第2電極層と、 を具備することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/78

FI (5件)：

H01L29/78 654A ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 653A

引用特許：

出願人引用 (1件)

• MOSFETおよびそれを用いた保護回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-308618   出願人：三洋電機株式会社