特許
J-GLOBAL ID：200903092968751449

発光装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-151815
公開番号（公開出願番号）：特開2002-351355
出願日： 2001年05月22日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 アクティブマトリクス型の発光装置において、TFTの特性及び信頼性に影響を与えることなく発光素子の素子特性を向上させることを目的とする。【解決手段】 陰極となる第一の電極を形成した後で、膜厚の薄い第二の絶縁膜を間に挟み仕事関数の小さい材料からなる緩衝層を設けることで、有機化合物層へのキャリアの注入性を向上させることができるだけでなく、緩衝層から生じるアルカリイオンがTFTの特性に影響を与えるのを防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に形成された第一の電極と、前記第一の電極の端部を覆う第一の絶縁層と、前記第一の電極及び前記第一の絶縁層上に形成される第二の絶縁層と、前記第二の絶縁層上に形成された元素周期律の1族または2族に属する元素からなる導電層と、前記緩衝層上に形成された有機化合物層と、前記有機化合物層上に形成された第二の電極とを有する発光装置であって、前記導電層は、前記第一の電極よりも仕事関数の小さい材料からなることを特徴とする発光装置。
IPC (7件)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/26
FI (7件)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 Z ,  H05B 33/26 Z
Fターム (43件)：
3K007AB04 ,  3K007AB06 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB01 ,  3K007BB04 ,  3K007BB05 ,  3K007BB07 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA02 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  5C094AA07 ,  5C094AA08 ,  5C094AA24 ,  5C094AA31 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA12 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094CA25 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA07 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094FB20 ,  5C094GB10 ,  5C094JA08
引用特許：
審査官引用 (3件)

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