化合物半導体薄膜の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-074323
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273135
出願日： 2002年03月18日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】膜厚方向で目的のIII族元素組成分布のばらつきを低減し、また目的のIII族元素濃度を制御しうるI、III、VI族元素からなる化合物半導体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】成膜室3にMo膜が形成された基板1が入れられIn-Ga-Seターゲット21およびCuターゲット23のスパッタを、基板温度約150°C〜450°Cで行う。このとき、In-Ga-Se化合物ターゲット21の組成比として、Ga/(In+Ga)の元素比(原子数の比)は、0.1〜0.3とする。また、In-Ga-Se化合物ターゲット21に含まれるIII族元素対VI族元素の比を2:3とする。形成した前駆体膜を、熱処理室5にて、Se蒸着源25を用いてSe蒸気を前駆体膜上へ照射しながら、基板温度約550°Cで熱処理する。

請求項（抜粋）：

基板上にI族元素およびIII族元素を含む前駆体薄膜を少なくともスパッタリング法を用いて形成する工程と、前記前駆体薄膜をVI族元素を含んだ雰囲気中で熱処理する工程からなる化合物半導体薄膜の製造方法であって、前記基板上に前記前駆体薄膜を形成する工程において、III族元素の供給には、少なくとも複数種のIII族元素を同時に含むターゲットを用いてスパッタ成膜することを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/363 , C23C 14/06 , H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/363 , C23C 14/06 G , C23C 14/06 N , H01L 31/04 E

Fターム (26件)：

4K029AA09 , 4K029BA08 , 4K029BA31 , 4K029BB02 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029DC04 , 4K029EA08 , 4K029KA03 , 5F051AA10 , 5F051CB15 , 5F051CB24 , 5F051CB29 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051GA03 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103BB23 , 5F103BB27 , 5F103DD30 , 5F103HH10 , 5F103LL04 , 5F103NN01 , 5F103PP03 , 5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体薄膜形成用前駆体及び半導体薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-116164 出願人：松下電器産業株式会社

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