特許

J-GLOBAL ID：200903092996452740

素子製造方法および素子製造装置

発明者： 木口 浩史 ,  古沢 昌宏 ,  三浦 弘綱
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-315370
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045289
出願日： 2004年10月29日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】 立体配線を備えた素子を効率良く形成する素子製造方法および素子製造装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 素子形成基板に金属含有液体54を付与して素子を製造する方法であって、素子形成基板に穴53を形成する工程と、金属含有液体54を穴53内にインクジェット方式により付与する工程と、を有する素子製造方法である。 【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

素子形成基板に金属含有液体を付与して素子を製造する方法であって、 前記素子形成基板に穴を形成する工程と、 前記金属含有液体を前記穴内にインクジェット方式により付与する工程と、 を有する素子製造方法。

IPC (3件)：

H05K3/40 ,  H05K3/10 ,  H05K3/46

FI (4件)：

H05K3/40 K ,  H05K3/10 D ,  H05K3/10 E ,  H05K3/46 N

Fターム (47件)：

5E317AA24 ,  5E317BB01 ,  5E317BB12 ,  5E317BB13 ,  5E317BB14 ,  5E317CC22 ,  5E317CC25 ,  5E317CD21 ,  5E317CD32 ,  5E317CD34 ,  5E317CD40 ,  5E317GG01 ,  5E317GG16 ,  5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA22 ,  5E343AA37 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB72 ,  5E343CC21 ,  5E343DD12 ,  5E343EE37 ,  5E343ER35 ,  5E343FF05 ,  5E343GG06 ,  5E343GG08 ,  5E343GG11 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA43 ,  5E346CC02 ,  5E346CC08 ,  5E346CC16 ,  5E346CC32 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD34 ,  5E346DD50 ,  5E346EE32 ,  5E346FF01 ,  5E346FF18 ,  5E346GG15 ,  5E346GG19 ,  5E346HH26 ,  5E346HH32

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-063650   出願人：セイコーエプソン株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-211558   出願人：オリンパス光学工業株式会社