特許
J-GLOBAL ID:200903097169941989

配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井上 一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-063650
公開番号(公開出願番号):特開2002-270718
出願日: 2001年03月07日
公開日(公表日): 2002年09月20日
要約:
【要約】【課題】 容易に貫通穴に導電材料を設けることができる配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体素子10に形成された貫通穴24の第1の面30に導電材料40を設け、導電材料40を溶融させて貫通穴24に流動させることを含み、半導体素子10の第1の面30側の圧力よりも、第1の面30とは反対の第2の面32側の圧力を低くした状態で、導電材料40を貫通穴24に流動させる。
請求項(抜粋):
半導体素子に形成された貫通穴の第1の面に導電材料を設け、前記導電材料を溶融させて前記貫通穴に流動させることを含み、前記半導体素子の前記第1の面側の圧力よりも、前記第1の面とは反対の第2の面側の圧力を低くした状態で、前記導電材料を前記貫通穴に流動させる半導体装置の製造方法。
IPC (9件):
H01L 23/12 501 ,  H01L 21/60 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/10 ,  H01L 25/11 ,  H05K 1/11 ,  H05K 3/40
FI (6件):
H01L 23/12 501 C ,  H05K 1/11 N ,  H05K 3/40 K ,  H01L 21/92 604 A ,  H01L 25/08 Z ,  H01L 25/14 Z
Fターム (9件):
5E317AA24 ,  5E317BB02 ,  5E317BB03 ,  5E317BB04 ,  5E317BB12 ,  5E317BB13 ,  5E317BB15 ,  5E317BB18 ,  5E317GG17
引用特許:
審査官引用 (5件)
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