半導体集積装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-319721
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154733
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】【課題】高周波領域においても安定した回路動作を実現でき電源ノイズに強い半導体集積装置を提供すること。【解決手段】電源間に内蔵バイパスコンデンサと、その近傍に静電気保護素子を設ける。バイパスコンデンサはトランジスタゲート膜または配線層間膜で形成する。静電気保護素子はPまたはN型GCD、もしくはNPNまはたPNPバイポーラトランジスタ、もしくはPNダイオードにより形成する。【効果】ある回路で発生した電源ノイズを他の回路に伝搬させにくい、また他の回路からの電源ノイズを受けにくい。トランジスタのゲート膜が薄くなっても適応可能。ウェルの電位安定性向上ができる。I/Oセルのリング電源ライン強化ができる。チップ全体の静電気耐量を向上できる。

請求項（抜粋）：

VDD-VSS電源間に接続された容量と、同じく電源間に接続された静電気保護素子を有する半導体において、前記容量と前記静電気保護素子は同一の電源ラインから分岐しかつ互いに近傍に配置され、前記容量はゲートをVSSにドレイン及びソースをVDDに接続されたPチャンネルMOS(PMOS)、またはゲートをVDDにドレイン及びソースをVSSに接続されたNチャンネルMOS(NOS)ゲート膜で構成され、前記静電気保護素子はゲート及びソースをVDDに、ドレインをVSSに接続されたPMOSゲートコントロールドダイオード(以下PGCD),またはゲート及びソースをVSSに、ドレインをVDDに接続されたNMOSゲートコントロールドダイオード(以下NGCD)で構成されたことを特徴とする半導体集積装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H02H 7/20 , H05F 3/02

FI (3件)：

H01L 27/04 H , H02H 7/20 F , H05F 3/02 L

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平4-061371
特開平4-022163
特開平2-133965

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審査官引用 (9件)

特開平4-061371
特開平4-061371
特開平4-022163

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