特許
J-GLOBAL ID：200903093017636930
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-283566
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100500
出願日： 2004年09月29日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】 発光効率と信頼性との両方が高い半導体発光素子を提供することが困難であった。【解決手段】 n型半導体層6と活性層7とp型半導体層8とp型補助半導体層9とを有する発光機能を有する半導体領域3と導電性を有する支持基板1との間にAg又はAg合金から光反射層2を設ける。光反射層2は半導体領域3の一方の主面に形成したAg又はAg合金から成る第1の貼合せ層と支持基板1の一方の主面に形成したAg又はAg合金から成る第2の貼合せ層との接合によって形成する。光反射層2の側面22と半導体領域3の側面23とのいずれか一方又は両方を保護層6で覆ってマイグレーションを抑制する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
支持基板と、
前記支持基板の一方の主面に配置され且つ金属又は合金で形成されている導電体層と、
前記導電体層に電気的に接続された一方の主面と光を取り出すための他方の主面とを有し且つ前記一方の主面側に配置された第1導電型半導体層と前記他方の主面側に配置された第2導電型半導体層とを含んでいる発光用半導体領域と、
前記半導体領域の前記第2導電型半導体層に接続された電極と、
前記導電体層に含まれている金属のマイグレーションによる前記発光用半導体領域の特性劣化を抑制するためのものであって、前記導電体層の側面と前記半導体領域の側面とのいずれか一方又は両方を覆い且つ前記導電体層及び前記半導体領域よりも高い抵抗率を有している保護層と
を備えていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F041AA03
, 5F041AA43
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA64
, 5F041CA74
, 5F041CB15
, 5F041DA18
, 5F041DA43
, 5F041FF01
, 5F041FF11
