特許

J-GLOBAL ID：200903093019771486

半導体基板及びその製造方法

発明者： 碇 敦 ,  浜口 功 ,  川村 啓介
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-217391
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064837
出願日： 1996年08月19日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 SOI基板において、焼鈍の際に発生するピットを抑制し、欠陥の少ない半導体基板を提供する。【解決手段】 酸素イオン注入後、焼鈍を行いシリコン酸化膜を有する単結晶シリコン半導体基板を作成する際に、その基板として酸素注入前もしくは焼鈍前に、窒素をl×1014〜1×1018atoms/cm3 含むシリコン単結晶を用いることを特徴とする半導体基板の製造方法。及び、基板中の窒素濃度が1×1012〜1×1017atoms/cm3 である半導体基板基板。【効果】イオン注入後の埋め込み酸化膜形成のための高温焼鈍時に、結晶中の窒素が、基板表面のピットの発生を抑制し、SOI構造に欠陥の少ない半導体基板を得ることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に単結晶Si層を形成したSOI構造を有する半導体基板において、基板中に1×1012atoms/cm3 以上1×1017atoms/cm3 以下の窒素を含有することを特徴とする半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  C30B 29/06 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 21/265 J ,  C30B 29/06 C ,  H01L 27/12 Z ,  H01L 27/12 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• SOI基板の製造方法およびSOI基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-076538   出願人：コマツ電子金属株式会社, 日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・エレクトロニクステクノロジー株式会社
• 特開昭60-251190