特許

J-GLOBAL ID：200903003171159428

SOI基板の製造方法およびSOI基板

発明者： 中嶋 定夫 ,  泉 勝俊 ,  大和田 允彦 ,  片山 達彦
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社 ,  日本電信電話株式会社 ,  エヌ・ティ・ティ・エレクトロニクステクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 村上 友一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-076538
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263538
出願日： 1994年03月23日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 SIMOX基板に形成する埋め込み酸化膜について、その厚膜化、ピンホール低減および表面のシリコン単結晶層と埋め込み酸化膜との界面の平坦度を向上させる。【構成】 単結晶シリコン基板に酸素イオンを打ち込み注入した後、不活性ガス雰囲気中で高温熱処理するアニール処理を行うことにより埋め込み酸化膜を形成し、表面層に基板と絶縁分離された単結晶シリコン層を形成するSOI基板の製造方法である。埋め込み酸化膜の膜厚が酸素イオン注入量により計算される理論的膜厚になるアニール処理を行った後、前記基板を高温酸素雰囲気中で酸化処理を施す。アニール後の高温酸化では濃度1%を超える酸素を供給し、1150°C以上、単結晶シリコン基板1の融点温度未満の温度で酸化処理を行い、埋め込み酸化膜5の上に酸化膜を埋め込み酸化膜増加分7として形成する。埋め込み酸化膜が厚膜化し、埋め込み酸化膜5に生じたピンホール9は補修され、埋め込み酸化膜界面の凹凸も平坦化される。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板に酸素イオンを打ち込み注入した後、不活性ガス雰囲気中で高温熱処理するアニール処理を行うことにより埋め込み酸化膜を形成し、表面層に基板と絶縁分離された単結晶シリコン層を形成するSOI基板の製造方法において、前記埋め込み酸化膜の膜厚が酸素イオン注入量により計算される理論的膜厚になるアニール処理を行った後、前記基板を高温酸素雰囲気中で酸化処理を施すことを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/86 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/76 R ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/86

引用特許：

審査官引用 (1件)

• SOI 基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-234415   出願人：日本電信電話株式会社