特許
J-GLOBAL ID：200903093032448970
窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-094484
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264478
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体における電極の接触抵抗の低下【構成】 少なくともガリウム及び窒素を含む化合物半導体の表面をターゲットとして、不活性ガスを用いて逆スパッタリングすることで、半導体表面の酸化物や付着物を完全に除去する。逆スパッタリングの程度を半導体表面に原子配列が破壊された破壊層が形成される程度とし、金属蒸着工程と続く合金処理工程を真空状態を保持してスパッタリング工程に連続して実行することで、金属と半導体との接触抵抗が低下した。BHFによりウエットエッチングした表面に電極を形成した場合に比べて、接触抵抗は1/10に低下した。
請求項（抜粋）：
少なくともガリウム及び窒素を含む化合物半導体の表面を不活性ガスを用いてスパッタリングした後に、金属を蒸着して電極を形成することを特徴とする電極形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/28 A
, H01L 33/00 E
