半導体装置及び製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-300255
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153757
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】多層配線構造を持つ半導体装置において、多層配線プロセスの工程低減と、研磨とスパッタを用いた高信頼配線を形成し、製造コストを低減する。【構成】平坦化された第1絶縁膜に第1配線用の溝を有し、かつ前記第1配線溝下にコンタクトホールを有し、これら第1配線溝及びコンタクトホールがAlにより均一に埋め込まれ、前記第1配線上面と第1絶縁膜が平坦になっており、第1配線上の平坦な第2絶縁膜に第2配線用溝、及び前記第1配線と第2配線を導通させるための第1スルーホールを有し、これら第2配線溝と第1スルーホールがAlにより均一に埋め込まれ、前記第2配線上面と前記第2絶縁膜が平坦になっている。

請求項（抜粋）：

溝配線構造を持つm層の多層配線において、平坦化された第1絶縁膜に第1配線用の溝を有し、かつ前記第1配線溝下にコンタクトホールを有し、これら第1配線溝及びコンタクトホールがA1により均一に埋め込まれ、前記第1配線上面と第1絶縁膜が平坦になっており、第1配線上の平坦な第2絶縁膜に第2配線用溝、及び前記第1配線と第2配線を導通させるための第1スルーホールを有し、これら第2配線溝と第1スルーホールがA1により均一に埋め込まれ、前記第2配線上面と前記第2絶縁膜が平坦になっており、同様にm以下の整数nについて、平坦化された第n絶縁膜に第n配線用溝、及び第(n-1)配線と第n配線を導通させるための第(n-1)スルーホールを有し、これら第n配線溝と第(n-1)スルーホールがA1により均一に埋め込まれ、前記第n配線上面と前記第n絶縁膜が平坦になっていることを特徴とするm層の多層配線構造を持つ半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/285 301 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/90 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-267415 出願人：日本電気株式会社
特開昭62-296444

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