特許

J-GLOBAL ID：200903093064407914

ナノファイバーパターン基材及び該基材を用いた成型体

発明者： 近藤 哲司 ,  三和 敬史
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-229788
公開番号（公開出願番号）：特開2007-044149
出願日： 2005年08月08日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：

【課題】 パターンに従って細胞の接着、増殖、移動、分化など様々な機能を制御できる基材を提供する。【解決手段】 表面に有機系ナノファイバーを含むパターンを形成させたことを特徴とする基材を提供する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

表面に有機系ナノファイバーを含むパターンを形成させたことを特徴とする基材。

IPC (5件)：

A61L 27/00 ,  B82B 3/00 ,  D01F 6/90 ,  C12M 3/00 ,  D04H 1/42

FI (5件)：

A61L27/00 Y ,  B82B3/00 ,  D01F6/90 311B ,  C12M3/00 A ,  D04H1/42 X

Fターム (25件)：

4B029AA08 ,  4B029BB11 ,  4B029CC08 ,  4B029GB04 ,  4B029GB10 ,  4C081AA12 ,  4C081AA14 ,  4C081AB01 ,  4C081AB11 ,  4C081AB36 ,  4C081CA18 ,  4C081CA23 ,  4C081CB01 ,  4C081DA04 ,  4L035AA05 ,  4L035AA06 ,  4L035BB31 ,  4L035DD01 ,  4L035DD13 ,  4L035FF01 ,  4L035LC07 ,  4L047AA21 ,  4L047AA23 ,  4L047AB08 ,  4L047CC03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 熱CVD法によるグラファイトナノファイバー薄膜の選択形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-307959   出願人：株式会社アルバック