特許
J-GLOBAL ID：200903020261000659

熱CVD法によるグラファイトナノファイバー薄膜の選択形成方法

発明者：
平川 正明

平川 正明 について

, 
村上 裕彦

村上 裕彦 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (1件)： 北村 欣一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-307959
公開番号（公開出願番号）：特開2002-115057
出願日： 2000年10月06日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：
【要約】【課題】 炭素系電子放出源となり得るグラファイトナノファイバー薄膜を選択的に形成せしめる方法の提供。【解決手段】 ガラス基板又はSi基板上に、Fe、Co又はこれらの金属の少なくとも1種を含んだ合金の薄膜を所定のパターンに形成せしめた被処理基板を、真空排気した真空チャンバー内に載置し、該基板を加熱した後、炭素含有ガス及び水素ガスを該チャンバー内へ導入し、該チャンバー内の圧力をほぼ1気圧に維持して、該基板上のパターン部分のみに熱CVD法によりグラファイトナノファイバーを均一に成長せしめる。
請求項（抜粋）：
ガラス基板又はSi基板上に、Fe、Co又はこれらの金属の少なくとも1種を含んだ合金の薄膜を所定のパターンに形成せしめた基板を被処理基板とし、熱CVD法により、炭素含有ガス及び水素ガスを用いて、該被処理基板上のパターン部分のみにグラファイトナノファイバーを均一に成長せしめ、グラファイトナノファイバー薄膜を得ることを特徴とするグラファイトナノファイバー薄膜の選択形成方法。
IPC (5件)：
C23C 16/26 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 ,  D01F 9/133 ,  H01J 9/02
FI (5件)：
C23C 16/26 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 F ,  D01F 9/133 ,  H01J 9/02 B
Fターム (35件)：
4G046CA01 ,  4G046CB01 ,  4G046CB03 ,  4G046CB09 ,  4G046CC06 ,  4G046CC08 ,  4G046EA06 ,  4G046EB04 ,  4G046EB13 ,  4G046EC01 ,  4G046EC03 ,  4G046EC06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030DA02 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA11 ,  4L037CS04 ,  4L037FA03 ,  4L037FA05 ,  4L037FA20 ,  4L037PA03 ,  4L037PA06 ,  4L037PA17 ,  4L037PA18 ,  4L037UA02 ,  4L037UA20
引用特許：
審査官引用 (10件)
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