特許
J-GLOBAL ID：200903093069708858

導体回路の形成方法

発明者：
川崎 真吾

川崎 真吾 について

, 
矢頭 浩司

矢頭 浩司 について


出願人/特許権者：
株式会社安永

株式会社安永 について


代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-385103
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188497
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】 高密度で微細な導体回路を形成するに好適な導体回路の形成方法を提供する。【解決手段】 絶縁基体の表面に撥水加工膜を形成した後、前記絶縁基体上に形成すべき導体回路の配線パターンに応じて上記撥水加工膜にレーザ光を照射して該レーザ光照射部位の撥水加工膜を除去し、次いで前記絶縁基体の上記撥水加工膜の除去により露出した領域に、インクジェットノズルを用いて導電性の独立分散超微粒子を含むインク粒を噴射して前記導体回路の配線パターンを描画する。
請求項（抜粋）：
所定の絶縁基体上に導体回路を形成するに際し、前記絶縁基体の表面に撥水加工膜を形成した後、前記絶縁基体上に形成すべき導体回路の配線パターンに応じて上記撥水加工膜にレーザ光を照射して該レーザ光照射部位の撥水加工膜を除去し、次いで前記絶縁基体の上記撥水加工膜の除去により露出した領域に、インクジェットノズルを用いて導電性の超微粒子を含むインク粒を噴射して前記配線パターンを描画してなることを特徴とする導体回路の形成方法。
IPC (3件)：
H05K 3/10 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/00
FI (4件)：
H05K 3/10 D ,  H05K 3/10 E ,  H05K 1/09 A ,  H05K 3/00 N
Fターム (29件)：
4E351AA03 ,  4E351AA04 ,  4E351BB01 ,  4E351BB31 ,  4E351CC11 ,  4E351DD04 ,  4E351DD05 ,  4E351DD06 ,  4E351DD19 ,  4E351DD20 ,  4E351DD52 ,  4E351EE01 ,  4E351GG20 ,  5E343AA02 ,  5E343AA15 ,  5E343AA17 ,  5E343AA18 ,  5E343AA37 ,  5E343BB03 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB44 ,  5E343BB48 ,  5E343BB72 ,  5E343DD17 ,  5E343EE32 ,  5E343FF05 ,  5E343GG08
引用特許：
審査官引用 (3件)

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