特許
J-GLOBAL ID:200903093092063902

熱電材料及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 畠山 文夫 ,  小林 かおる
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-351860
公開番号(公開出願番号):特開2006-165125
出願日: 2004年12月03日
公開日(公表日): 2006年06月22日
要約:
【課題】 中・低温域で相対的に高い熱電特性を示し、しかも、環境負荷の大きい元素の含有量が相対的に少ない熱電材料を提供すること。【解決手段】 AgAsMg型結晶構造を有し、原子当たりの価電子数が6であり、かつ、前記AgAsMg型結晶構造の3つのサイトの内、少なくとも2つのサイトには、それぞれ、価電子数の異なる2種以上の原子を含むハーフホイスラー化合物を含む熱電材料。ハーフホイスラー化合物は、ドーパントをさらに含み、かつ、原子当たりの価電子数が5.9以上6.1以下(原子当たりの価電子数が6であるものを除く)であるものでも良い。このようなハーフホイスラー化合物は、所定の組成となるように配合された原料を溶解し、溶湯を急冷させることにより得られる。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
AgAsMg型結晶構造を有し、 原子当たりの価電子数が6であり、かつ、 前記AgAsMg型結晶構造の3つのサイトの内、少なくとも2つのサイトには、それぞれ、価電子数の異なる2種以上の原子を含むハーフホイスラー化合物 を含む熱電材料。
IPC (7件):
H01L 35/20 ,  B22D 11/06 ,  B22D 23/00 ,  B22F 3/14 ,  C22C 16/00 ,  C22F 1/18 ,  H01L 35/34
FI (8件):
H01L35/20 ,  B22D11/06 360A ,  B22D23/00 D ,  B22D23/00 E ,  B22F3/14 D ,  C22C16/00 ,  C22F1/18 E ,  H01L35/34
Fターム (9件):
4E004DB01 ,  4E004TA06 ,  4E004TB02 ,  4K018AA40 ,  4K018DA23 ,  4K018EA01 ,  4K018EA11 ,  4K018KA32 ,  4K018KA70
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

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