特許

J-GLOBAL ID：200903067707809895

熱電変換材料および熱電変換素子

発明者： 首藤 直樹 ,  桜田 新哉 ,  近藤 成仁 ,  竹澤 伸久
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-201294
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356607
出願日： 2003年07月24日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】ハーフホイスラー化合物を主相とする材料において、高いゼーベック係数と低い抵抗率とを維持しつつ熱伝導率を十分に低減して、無次元性能指数ZTの大きな熱電変換材料を提供する。【解決手段】下記組成式(1)または下記組成式(2)で表わされ、MgAgAs型結晶構造を有する相を主相とすることを特徴とする。(Tia1Zrb1Hfc1)xNiySn100-x-y 組成式(1)(Lnd(Tia2Zrb2Hfc2)1-d)xNiySn100-x-y 組成式(2)(ここで、0 請求項（抜粋）：

下記組成式(1)で表わされ、MgAgAs型結晶構造を有する相を主相とすることを特徴とする熱電変換材料。 (Tia1Zrb1Hfc1)xNiySn100-x-y 組成式(1) (上記組成式(1)中、0 IPC (7件)：

H01L35/18 ,  C22C13/00 ,  C22C28/00 ,  H01L35/20 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34 ,  H02N11/00

FI (7件)：

H01L35/18 ,  C22C13/00 ,  C22C28/00 Z ,  H01L35/20 ,  H01L35/32 A ,  H01L35/34 ,  H02N11/00 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 熱電変換材料構成原子の組合せ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-373288   出願人：財団法人やまぐち産業振興財団
• 熱電変換材料及びこれを用いた熱電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-348400   出願人：株式会社東芝
• M1-xAx・Ni1-yBy・Snz-1Czハーフホイスラー型の高温用熱電材料及び製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-182978   出願人：財団法人理工学振興会
• 熱電材料およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-213419   出願人：旭化成株式会社

引用文献：

審査官引用 (10件)

• THERMOELECTRIC PROPERTIES OF HALH-HEUSLER PHASE:ErNi1-xCuxSb,YNi1-xCuxSb AND ZrxHfyTizNiSn
• Bandgap Features and Thermoelectric Properties of Ti-Based Half-Heusler Alloys
• Thermoelectric Properties Of Bi-Doped Half-Heusler Alloys
• THERMOELECTRIC PROPERTIES OF Sb-DOPING IN THE TiNiSn1-xSbx HALF-HEUSLER SYSTEM
• Thermoelectric properties of semimetallic (Zr,Hf)CoSb half-Heusler phases
• Effect of Sb doping on the thermoelectric properties of Ti-based half-Heusler compounds,TiNiSn1-xSbx
• Effects of partial substitution of Ni by Pd on the thermoelectric properties of ZrNiSn-based
• Thermoelectric properties of ZrNiSn-based half-Heusler compounds by solid state reaction method
• Electronic and Thermoelectric Properties of Half-Heusler Alloys
• Synthesis and Thermoelectric Properties of ZrNiSn-based Semi-Heusler Compound