特許
J-GLOBAL ID:200903067707809895

熱電変換材料および熱電変換素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-201294
公開番号(公開出願番号):特開2004-356607
出願日: 2003年07月24日
公開日(公表日): 2004年12月16日
要約:
【課題】ハーフホイスラー化合物を主相とする材料において、高いゼーベック係数と低い抵抗率とを維持しつつ熱伝導率を十分に低減して、無次元性能指数ZTの大きな熱電変換材料を提供する。【解決手段】下記組成式(1)または下記組成式(2)で表わされ、MgAgAs型結晶構造を有する相を主相とすることを特徴とする。(Tia1Zrb1Hfc1)xNiySn100-x-y 組成式(1)(Lnd(Tia2Zrb2Hfc2)1-d)xNiySn100-x-y 組成式(2)(ここで、0<a1<1、0<b1<1、0<c1<1、a1+b1+c1=1、30≦x≦35、30≦y≦35、LnはYおよび希土類元素からなる群から選択される少なくとも一種であり、0≦a2≦1、0≦b2≦1、0≦c2≦1、a2+b2+c2=1、0<d≦0.3である。)【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記組成式(1)で表わされ、MgAgAs型結晶構造を有する相を主相とすることを特徴とする熱電変換材料。 (Tia1Zrb1Hfc1)xNiySn100-x-y 組成式(1) (上記組成式(1)中、0<a1<1、0<b1<1、0<c1<1、a1+b1+c1=1、30≦x≦35、30≦y≦35である。)
IPC (7件):
H01L35/18 ,  C22C13/00 ,  C22C28/00 ,  H01L35/20 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34 ,  H02N11/00
FI (7件):
H01L35/18 ,  C22C13/00 ,  C22C28/00 Z ,  H01L35/20 ,  H01L35/32 A ,  H01L35/34 ,  H02N11/00 A
引用特許:
審査官引用 (4件)
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引用文献:
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