光触媒効果を利用したリフトオフ法によるパターン形成方法

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出願人/特許権者： , ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-089084
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289499
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】各種パターン形成技術のうち、リフトオフ法は精度の良いパターン形成を比較的簡便に実施することが可能であり、リフトオフ材料とパターン形成薄膜材料の相性の良い組み合わせでは盛んに用いられている。ところが、リフトオフ法においてもフォトレジスト塗布、感光、剥離等の工程を含んでおり、より単純、高速なプロセスが必要であった。【構成】光触媒効果を用いて表面に光触媒性を持つ基体、あるいは光触媒性を付与した基体上に可溶性金属膜をパターン形成し、この上にパターン形成をもくろむ薄膜を形成した後、可溶性金属膜とその上部に形成されていたパタ-ニングをもくろむ薄膜を一緒に溶解除去することによりリフトオフパターン形成を行うことを特徴とする薄膜のパターン形成方法。

請求項（抜粋）：

光触媒効果を用いて表面に光触媒性を持つ基体、あるいは光触媒性を付与した基体上に可溶性金属膜をパターン形成し、この上にパターン形成をもくろむ薄膜を形成した後、可溶性金属膜とその上部に形成されていたパタ-ニングをもくろむ薄膜を一緒に溶解除去することによりリフトオフパターン形成を行うことを特徴とする薄膜のパターン形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/027 , C23C 18/14 , G02F 1/1343 , G03F 7/004 521 , G03F 7/26 513 , H01L 21/306 , H01L 21/3205

FI (7件)：

C23C 18/14 , G02F 1/1343 , G03F 7/004 521 , G03F 7/26 513 , H01L 21/30 502 D , H01L 21/306 N , H01L 21/88 G

Fターム (44件)：

2H025AA02 , 2H025AB17 , 2H025AC01 , 2H025AD01 , 2H025BH04 , 2H025FA14 , 2H025FA44 , 2H092HA14 , 2H092HA19 , 2H092KB05 , 2H092KB14 , 2H092MA05 , 2H092MA14 , 2H092MA16 , 2H092NA27 , 2H096AA27 , 2H096BA13 , 2H096BA20 , 2H096EA27 , 2H096HA28 , 4K022AA02 , 4K022AA03 , 4K022AA04 , 4K022BA01 , 4K022BA08 , 4K022BA31 , 4K022BA35 , 4K022CA06 , 4K022CA17 , 4K022CA28 , 4K022DA08 , 4K022DB30 , 5F033GG04 , 5F033HH35 , 5F033PP15 , 5F033QQ43 , 5F043AA26 , 5F043BB18 , 5F043CC20 , 5F043DD18 , 5F043GG02 , 5F046AA20 , 5F046AA28 , 5F046CA01

引用特許：

出願人引用 (3件)

パターン形成法及びガス放電パネルの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-075208 出願人：松下電器産業株式会社
有機高分子膜にパタンを作成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-107069 出願人：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
特開昭55-079443

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