特許
J-GLOBAL ID：200903093099975583
スピンバルブ型薄膜素子およびその製造方法とそのスピンバルブ型薄膜素子を備えた薄膜磁気ヘッド
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019117
公開番号（公開出願番号）：特開2000-215420
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 反強磁性層2の材質を改良することにより、交換結合磁界が大きく、ブロッキング温度が高く、耐久性、耐熱性に優れ、比抵抗が大きく、良好な抵抗変化率を有するスピンバルブ型薄膜素子およびその製造方法と、前記スピンバルブ型薄膜素子を備えた薄膜磁気ヘッドを提供することを課題としている。【解決手段】 反強磁性層2が、X-Mn(ただし、Xは、Pt、Ni、Pd、Ru、Ir、Rhのうちから選択される1種の元素を示す。)の式で示される合金またはX’ーPt-Mn(ただし、X’は、Pd、Cr、Ru、Ni、Ir、Rh、Au、Agのうちから選択される1種または2種以上の元素を示す。)の式で示される合金で形成されたものであり、アニールを施すことにより、反強磁性が示されるとともに比抵抗が増加されたスピンバルブ型薄膜素子とする。
請求項（抜粋）：
基板上に、反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換結合磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成され、前記固定磁性層の磁化方向と交差する方向に磁化が揃えられるフリー磁性層とを有するスピンバルブ型薄膜素子であり、前記反強磁性層が、X-Mn(ただし、Xは、Pt、Ni、Pd、Ru、Ir、Rhのうちから選択される1種の元素を示す。)の式で示される合金またはX’ーPt-Mn(ただし、X’は、Pd、Cr、Ru、Ni、Ir、Rh、Au、Agのうちから選択される1種または2種以上の元素を示す。)の式で示される合金で形成されたものであり、アニールを施すことにより、反強磁性が示されるとともに比抵抗が増加されたものであることを特徴とするスピンバルブ型薄膜素子。
Fターム (3件)：
5D034BA04
, 5D034BA11
, 5D034DA07
