特許
J-GLOBAL ID:200903093114880896

窒化珪素回路基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-319368
公開番号(公開出願番号):特開平9-162325
出願日: 1995年12月07日
公開日(公表日): 1997年06月20日
要約:
【要約】【課題】 機械的特性、熱抵抗、安全性の総合評価に優れた窒化珪素回路基板を提供すること。【解決手段】 窒化珪素基板に金属回路もしくは金属回路と金属放熱板が活性金属を含む接合層を介して形成されてなるものであって、上記接合層の厚みが20μm以下でかつ金属回路及び金属放熱板の酸素含有量が50ppm以下であることを特徴とする窒化珪素回路基板。
請求項(抜粋):
窒化珪素基板に金属回路もしくは金属回路と金属放熱板が活性金属を含む接合層を介して形成されてなるものであって、上記接合層の厚みが20μm以下でかつ金属回路及び金属放熱板の酸素含有量が50ppm以下であることを特徴とする窒化珪素回路基板。
IPC (4件):
H01L 23/15 ,  C04B 37/02 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/38
FI (4件):
H01L 23/14 C ,  C04B 37/02 B ,  H05K 3/06 C ,  H05K 3/38 C
引用特許:
審査官引用 (3件)

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