特許

J-GLOBAL ID：200903093116803600

半導体メモリ装置の電流センスアンプ回路

発明者： 李 圭燦 ,  沈 載勳
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-105553
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306191
出願日： 1996年04月25日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【課題】 低電源電圧でも感知速度に優れ、安定した感知動作を行えるサブ入出力線対の電流センスアンプ回路を提供する。【解決手段】 サブ入出力線対SIO,バーSIOにPMOSトランジスタ18,20を接続してそのゲート端子を交差接続し、そしてこれに直列接続してNMOSトランジスタ22,24を設け、その接続点へ入出力線対IO,バーIOを接続する。NMOSトランジスタ22,24のゲート端子はサブ入出力線SIO,バーSIOへ交差接続する。NMOSトランジスタ22,24の制御電圧にしきい値電圧による電圧降下の影響がなくなるので、より低電圧向きであり、動作も安定する。

請求項（抜粋）：

ビット線対のデータをサブ入出力線対で感知して入出力線対へ伝達する半導体メモリ装置のサブ入出力線対に設けられる電流センスアンプ回路において、サブ入出力線対にそれぞれチャネルが接続され、ゲート端子が交差接続される第1のトランジスタ対と、該第1のトランジスタ対に直列接続され、ゲート端子がサブ入出力線対へ交差接続される第2のトランジスタ対と、が設けられ、これら第1のトランジスタ対と第2のトランジスタ対との接続部分に入出力線対が接続されることを特徴とする電流センスアンプ回路。

IPC (3件)：

G11C 11/419 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

G11C 11/34 311 ,  H01L 27/10 681 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ラッチ形センス回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-109023   出願人：日本電信電話株式会社