特許

J-GLOBAL ID：200903093134950700

半導体装置およびその製造方法

発明者： 小林 健二 ,  鳥越 哲郎 ,  大林 只志
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-309838
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142428
出願日： 1993年11月15日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 スクライビングの際にスクライバのチップを傷めることなく、かつ折割り不良を大幅に低減することができる半導体装置の製造方法を提供することである。【構成】 ガラス基板1の表面において、スクライブ溝200を形成すべき所定幅の領域Bおよび周縁部の領域Aを除いて複数の半導体装置100を構成する膜を形成した後、ガラス基板1上の所定幅の領域B内にスクライブ溝200を形成する。そして、スクライブ溝200に沿ってガラス基板1を折割りすることにより個々の半導体装置100を分離する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に所定の膜からなる複数の半導体装置を形成した後、前記絶縁基板の表面に前記複数の半導体装置を分割するための複数のスクライブ溝を形成し、前記スクライブ溝に沿って前記絶縁基板を分割することにより形成された半導体装置において、前記スクライブ溝を形成すべき所定幅の領域を除いて前記絶縁基板上に前記複数の半導体装置を構成する前記所定の膜を形成した後、前記絶縁基板の前記所定幅の領域内に前記スクライブ溝を形成し、前記スクライブ溝に沿って前記絶縁基板を分割することにより、周辺部に前記絶縁基板の表面が露出した領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 V

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-283693   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 半導体ウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-221083   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-289689   出願人：松下電器産業株式会社