特許
J-GLOBAL ID：200903093170092116
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸山 敏之 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-130308
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327114
出願日： 1992年05月22日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 電流注入領域における局所的な電流密度の上昇を緩和して、高出力動作での長寿命を達成出来る半導体レーザを提供する。【構成】 n-GaAs基板1上に、n-AlGaInPクラッド層3、GaInP活性層4、p-AlGaInPクラッド層5、p-GaInPコンタクト層6を形成すると共に、共振器端面の近傍には夫々n-GaAs電流阻止層7を形成し、p-AlGaInPクラッド層5は、両電流阻止層7、7に挟まれた電流注入領域51のキャリア濃度が、電流非注入領域よりも高く形成されている。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板(1)上に、第1導電型クラッド層(3)、活性層(4)及び第2導電型クラッド層(5)を形成した半導体レーザにおいて、少なくとも第2導電型クラッド層(5)を含む結晶層は、キャリア濃度が共振器長方向に変化して、共振器端面の近傍部にて低濃度、共振器中央部にて高濃度に形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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