特許

J-GLOBAL ID：200903093173266522

ペルオキシ二硫酸塩の製造方法

発明者： 渡邊 悟 ,  吉永 雄一郎 ,  山本 真司
出願人/特許権者： 旭電化工業株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-047733
公開番号（公開出願番号）：特開2003-247090
出願日： 2002年02月25日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】 低電圧であっても効率的にペルオキシ二硫酸塩を製造することのできるペルオキシ二硫酸塩の製造方法を提供すること。【解決手段】 イオン交換膜を隔膜として陽極室と陰極室に区画された電解槽を用い、少なくとも硫酸イオン及びアンモニウムイオンを含有する水溶液を陽極室に供給し、少なくとも硫酸イオンを含有する水溶液を陰極室に供給し、電気分解により陽極室にペルオキシ二硫酸塩を発生させるペルオキシ二硫酸塩の製造方法において、陰極としてニッケル電極を使用することを特徴とするペルオキシ二硫酸塩の製造方法。

請求項（抜粋）：

イオン交換膜を隔膜として陽極室と陰極室に区画された電解槽を用い、少なくとも硫酸イオン及びアンモニウムイオンを含有する水溶液を陽極室に供給し、少なくとも硫酸イオンを含有する水溶液を陰極室に供給し、電気分解により陽極室にペルオキシ二硫酸塩を発生させるペルオキシ二硫酸塩の製造方法において、陰極としてニッケル電極を使用することを特徴とするペルオキシ二硫酸塩の製造方法。

IPC (2件)：

C25B 3/02 ,  C25B 11/04

FI (2件)：

C25B 3/02 ,  C25B 11/04 Z

Fターム (16件)：

4K011AA10 ,  4K011AA11 ,  4K011AA17 ,  4K011AA21 ,  4K011AA32 ,  4K011DA10 ,  4K021AC14 ,  4K021BA04 ,  4K021BA17 ,  4K021BA18 ,  4K021DB05 ,  4K021DB12 ,  4K021DB18 ,  4K021DB19 ,  4K021DB31 ,  4K021DB36

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ペルオキソ二硫酸塩の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-119889   出願人：デグサアクチエンゲゼルシャフト
• 特開昭53-080392
  
• 特開平3-173789