固体撮像素子及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-222692
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053260
出願日： 1999年08月05日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】 MOS型の固体撮像素子における感度の向上、低電圧での完全転送等を可能にする。【解決手段】 pn接合型のセンサ部21と少なくとも読み出し用トランジスタ22を有する画素が配列されてなる固体撮像素子であって、所定深さ位置の第1の第1導電型半導体ウエル領域52と素子分離層53下の第2の第1導電型半導体ウエル領域54とにて囲まれた第2導電型半導体領域55の表面側に読み出し用トランジスタ22のゲート57を挟んでセンサ部21を構成する第2導電型の電荷蓄積領域62と、読み出し用トランジスタ22の第2導電型のソース・ドレイン領域61とが形成され、ソース・ドレイン領域61下に(あるいは、ソース・ドレイン領域下、ゲート下及び電荷蓄積領域下に)、第1導電型半導体領域71が形成されて成る。

請求項（抜粋）：

pn接合型のセンサ部と少なくとも読み出し用トランジスタを有する画素が配列されてなる固体撮像素子であって、所定深さ位置の第1の第1導電型半導体ウエル領域と、素子分離層下の第2の第1導電型半導体ウエル領域とにて囲まれた第2導電型半導体領域の表面側に、前記読み出し用トランジスタのゲートを挟んで前記センサ部を構成する第2導電型の電荷蓄積領域と、前記読み出し用トランジスタの第2導電型のソース・ドレイン領域とが形成され、前記電荷蓄積領域、前記ゲート下及び前記ソース・ドレイン領域と、前記第2導電型半導体領域との間に第1導電型半導体領域が形成されて成ることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 27/14 A , H04N 5/335 F , H04N 5/335 U

Fターム (23件)：

4M118AA01 , 4M118AA03 , 4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA04 , 4M118CA18 , 4M118EA01 , 4M118EA06 , 4M118EA07 , 4M118EA14 , 4M118EA15 , 4M118FA06 , 4M118FA26 , 4M118FA28 , 4M118FA33 , 5C024AA01 , 5C024CA12 , 5C024CA16 , 5C024CA31 , 5C024FA01 , 5C024FA11 , 5C024GA31

引用特許：

審査官引用 (1件)

固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-317833 出願人：株式会社東芝

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