特許

J-GLOBAL ID：200903093181276138

液晶表示装置

発明者： 勝冶 洋子
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-206090
公開番号（公開出願番号）：特開2001-033818
出願日： 1999年07月21日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】 画素の開口率を下げることなく、高い光利用効率と十分な補助容量を得ることができ、高精細化に対応できる液晶表示装置を提供する。【解決手段】 画素電極3の下側に補助容量用透明絶縁膜としての窒化シリコン22を形成する。上記窒化シリコン22の下側に、対向電極と共通の電位に接続されるITOからなる共通電極21を形成する。上記画素電極3と窒化シリコン22と共通電極21とで補助容量を形成すると共に、画素電極3と窒化シリコン22と共通電極21を干渉により所定の波長の光に対する透過率が高くなる膜厚にする。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成されたゲート電極,ソース電極およびドレイン電極を有する画素用薄膜トランジスタと、上記絶縁性基板上に形成され、上記画素用薄膜トランジスタに夫々接続された透明導電膜からなる画素電極と、上記画素電極の電荷を保持するための補助容量とを有する薄膜トランジスタアレイ基板を備え、上記薄膜トランジスタアレイ基板と対向基板との間に液晶層を挟んで保持する液晶表示装置において、上記補助容量は、上記画素電極と、少なくとも上記画素電極の下側に形成された補助容量用透明絶縁膜と、上記補助容量用透明絶縁膜の下側に形成され、所定の電位に接続される透明導電膜からなる共通電極とで形成され、上記画素電極と上記補助容量用透明絶縁膜と上記共通電極の各膜厚が、干渉により所定の波長の光に対する透過率が高くなる膜厚であることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (5件)：

G02F 1/1365 ,  G02F 1/1333 505 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 612 Z

Fターム (77件)：

2H090HA06 ,  2H090HB08X ,  2H090LA04 ,  2H092GA17 ,  2H092GA25 ,  2H092GA29 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092NA01 ,  2H092NA19 ,  5C094AA04 ,  5C094AA05 ,  5C094AA10 ,  5C094AA13 ,  5C094AA21 ,  5C094AA25 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA48 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094DB10 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA07 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094ED15 ,  5C094ED20 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB03 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB16 ,  5C094GB10 ,  5C094JA05 ,  5C094JA13 ,  5F110AA01 ,  5F110AA18 ,  5F110CC01 ,  5F110EE06 ,  5F110EE37 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HM18 ,  5F110HM19 ,  5F110NN03 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN44 ,  5F110NN73 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 液晶表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-303434   出願人：日本電気株式会社
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-311600   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-071914   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所