特許

J-GLOBAL ID：200903093188421478

化学的機械研磨プロセス及びその構成要素

発明者： レイモンド アール. ジン ,  ジェフリー ディー. デイヴィッド ,  フレッド シー. レデカー ,  トーマス エイチ. オスターヘルド
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-035365
公開番号（公開出願番号）：特開2000-301454
出願日： 2000年02月14日
公開日（公表日）： 2000年10月31日
要約：

【要約】【課題】 化学機械的研磨のプロセス及びその構成要素の改善を図ること。【解決手段】 基板は、先ず単層硬質研磨パッドと高選択性スラリーを用いて第1終点に達するまで、次に軟質研磨パッドと低選択性スラリーを用いて第2終点に達するまで化学的機械研磨に供される。低選択性スラリーが第2研磨段階で使用される場合にはディッシングが低減される。第1研磨段階において単層硬質パッドを低圧で使用することにより、低いウェーハ内非均一性が達成される。

請求項（抜粋）：

ストップ層の上に配置されたフィラー層を有する基板に化学的機械研磨を施す方法であって、単層硬質研磨パッドと第1スラリーを用いてストップ層が少なくとも部分的に露出するまで基板に化学的機械研磨を施す段階と、軟質研磨パッドと前記第1スラリーよりも低い選択性を有する第2スラリーを用いてストップ層が十分に露出するまで前記基板に化学的機械研磨を施す段階と、を備える方法。

IPC (6件)：

B24B 37/04 ,  C08J 5/14 CFF ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/3205 ,  C08L 75:04

FI (9件)：

B24B 37/04 Z ,  B24B 37/04 K ,  C08J 5/14 CFF ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 K ,  H01L 21/304 622 S ,  H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体ウエハの研磨方法および研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-045487   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-021074   出願人：株式会社東芝