特許

J-GLOBAL ID：200903093196870940

半導体薄膜素子の製造方法

発明者： 小幡 勤 ,  野村 和雄
出願人/特許権者： 北陸電気工業株式会社
代理人 (1件)： 廣澤 勲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-357803
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200091
出願日： 1996年12月28日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 基板上に容易且つ正確に所望の素子形成が可能な半導体薄膜素子の製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板10を、SiとSb原子の結合は切れずSb同士の結合は容易に切れる温度に加熱し、Sb原子を1原子の平面的な層に分子線エピタキシー(MBE)等により蒸着させる。この後、Si基板10の温度をSb原子が蒸発ににくい温度に降下させ、所定の位置に電子線またはレーザー光を照射してエネルギーを加え、Sb原子とSi原子の結合を切り、Sbを蒸発させる。

請求項（抜粋）：

半導体の基板を、その基板半導体原子と他の原子の結合は切れず上記他の原子同士の結合は容易に切れる温度に加熱し、上記他の原子を1原子の層に蒸着させ、この後、上記基板温度を上記他の原子が蒸発ににくい温度に降下させ、所定の位置にエネルギーを与え、上記他の原子と上記半導体基板の原子の結合を切り、その部分の上記他の原子を蒸発させる半導体薄膜素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 M ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-259523
  
• 化合物半導体薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-167578   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-075325
  
• 特開平4-223329