特許
J-GLOBAL ID：200903093237531136
マスクデータ作成方法、マスク設計装置、マスク、プログラム及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-183658
公開番号（公開出願番号）：特開2006-010751
出願日： 2004年06月22日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】どの種類のOPC処理が行われているかを容易に読み取れ、かつ禁止領域でOPCパターンが除去されていることが容易に確認できるマスクデータ作成方法、マスク製造装置、マスク、プログラム及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】OPC処理規則確認パターン601を発生させることで、このマスクに用いられているOPCはどのような処理を行っているかを、OPC補正された配線パターンを調査することなくマスク上で確認することができる。また、禁止領域701中に禁止処理確認パターン603を発生させ、この禁止処理確認パターン603がマスク上に転写されない、つまり禁止領域701が適切に設定されていることを確認することができる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
パターンデータを転写したマスクを用いたときに、光の干渉により生じる光学像の乱れを予め補正する、光近接効果補正の処理規則を受け付けるステップと、
光近接効果補正処理により光近接効果補正パターンを生成するステップと、
光近接効果補正の処理規則を示す識別記号又は識別マークをマスク上に形成するステップと、
を備えたことを特徴とするマスクデータ作成方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G06F 17/50
, H01L 21/027
G03F1/08 A
, G06F17/50 658M
, H01L21/30 502P
2H095BB02
, 2H095BC09
, 2H095BE04
, 2H095BE08
, 5B046AA08
, 5B046BA04
