特許
J-GLOBAL ID：200903093242252199

半導体圧力測定装置

発明者：
加藤 曉之

加藤 曉之 について


出願人/特許権者：
横河電機株式会社

横河電機株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-050236
公開番号（公開出願番号）：特開2000-249613
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 安価で且つ精度、感度、過大圧特性が良好で、作製プロセスが安定で特性のばらつきが少なく、高耐圧が実現できる半導体圧力測定装置を提供する。【解決手段】 ダイアフラムの一面側に空隙室が設けられこのダイアフラムの他面側に測定圧が印加される半導体圧力測定装置において、第1の単結晶シリコン基板の一面に半導体プロセスにより形成されたポリシリコン層と、ポリシリコン層の他面に一面が接して設けられポリシリコン層と共にダイアフラムを構成する第2の単結晶シリコン基板と、第1の単結晶シリコン基板の一面側に設けられポリシリコン層と空隙室を形成する凹部と、この凹部の底面と側面との接する部分に設けられた丸み部と、ダイアフラムに設けられた歪検出センサと、第1の単結晶シリコン基板の他面あるいは第2の単結晶シリコン基板の他面から空隙室に連通されこの空隙室と外部とを連通する導圧孔とを具備したことを特徴とする半導体圧力測定装置である。
請求項（抜粋）：
ダイアフラムの一面側に空隙室が設けられこのダイアフラムの他面側に測定圧が印加される半導体圧力測定装置において、第lの単結晶シリコン基板と、この第1の単結晶シリコン基板の一面に半導体プロセスにより形成されたポリシリコン層と、前記ポリシリコン層の他面に一面が接して設けられ前記ポリシリコン層と共にダイアフラムを構成する第2の単結晶シリコン基板と、前記第lの単結晶シリコン基板の一面側に設けられ前記ポリシリコン層と空隙室を形成する凹部と、この凹部の底面と側面との接する部分に設けられた丸み部と、前記ダイアフラムに設けられた歪検出センサと、前記第1の単結晶シリコン基板の他面あるいは前記第2の単結晶シリコン基板の他面から前記空隙室に連通されこの空隙室と外部とを連通する導圧孔とを具備したことを特徴とする半導体圧力測定装置。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84
FI (2件)：
G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84 B
Fターム (22件)：
2F055AA40 ,  2F055BB03 ,  2F055BB05 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF11 ,  2F055FF38 ,  2F055GG01 ,  2F055GG15 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA02 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA05 ,  4M112DA11 ,  4M112DA12 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112FA07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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