特許
J-GLOBAL ID：200903093264704840

成膜装置の排気系構造及び不純物ガスの除去方法

発明者：
長谷川 敏夫

長谷川 敏夫 について

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河西 繁

河西 繁 について

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波多野 達夫

波多野 達夫 について

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内藤 洋右

内藤 洋右 について

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津田 栄之輔

津田 栄之輔 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-304132
公開番号（公開出願番号）：特開2001-214272
出願日： 2000年10月03日
公開日（公表日）： 2001年08月07日
要約：
【要約】【課題】 未反応の原料ガスやその反応副生成物等を完全に除去することが可能な成膜装置の排気系構造を提供する。【解決手段】 高融点金属化合物ガスを用いて被処理体Wに成膜処理を施す成膜装置2の排気系構造4において、前記成膜装置に接続された排気通路30と、この排気通路に介設されて排気ガス中に含まれる不純物ガスを除去するためのトラップ機構32と、このトラップ機構、或いはこのトラップ機構よりも上流側の前記排気通路に設けられて前記トラップ機構内、或いは前記排気通路内に前記不純物ガスと反応する反応ガスを導入する反応ガス導入手段44とを備える。これにより、未反応の原料ガスやその反応副生成物等を完全に除去する。
請求項（抜粋）：
高融点金属化合物ガスを用いて被処理体に成膜処理を施す成膜装置の排気系構造において、前記成膜装置に接続された排気通路と、この排気通路に介設されて排気ガス中に含まれる不純物ガスを除去するためのトラップ機構と、このトラップ機構、或いはこのトラップ機構よりも上流側の前記排気通路に設けられて前記トラップ機構内、或いは前記排気通路内に前記不純物ガスと反応する反応ガスを導入する反応ガス導入手段とを備えたことを特徴とする成膜装置の排気系構造。
IPC (2件)：
C23C 16/44 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
C23C 16/44 J ,  C23C 16/44 E ,  H01L 21/205
Fターム (21件)：
4K030AA03 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030EA11 ,  4K030KA49 ,  5F045AA08 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045BB08 ,  5F045EC07 ,  5F045EC09 ,  5F045EF02 ,  5F045EG07 ,  5F045EG08 ,  5F045EH05
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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