特許

J-GLOBAL ID：200903093273423471

酸化珪素層の形成方法

発明者： 藤原 広和
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-014695
公開番号（公開出願番号）：特開2008-182070
出願日： 2007年01月25日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：

【課題】 炭化珪素半導体層と酸化珪素層の界面に形成される界面準位の密度を小さくする。【解決手段】 炭化珪素半導体層18,6,8の表面を、少なくとも酸素元素を含むガスと、不活性ガスと、アンモニアガスを含む混合ガス雰囲気中で加熱して酸化珪素層4を形成する。炭化珪素半導体層18,6,8に存在する珪素と結合していない炭素を除去したり、炭化珪素半導体層18,6,8の結晶欠陥を補修しつつ、炭化珪素半導体層18,6,8の表面を酸化して酸化珪素層4を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体層の表面に酸化珪素層を形成する方法であり、 炭化珪素半導体層の表面を、少なくとも酸素元素を含むガスと、アンモニアガスと、不活性ガスを含む混合ガス雰囲気中で加熱する工程を有することを特徴とする酸化珪素層の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/318

FI (7件)：

H01L21/316 S ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 658F ,  H01L21/316 P ,  H01L21/318 C

Fターム (11件)：

5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC11 ,  5F058BE01 ,  5F058BF55 ,  5F058BF56 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BH03 ,  5F058BH05 ,  5F058BJ01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-023755   出願人：松下電器産業株式会社