特許
J-GLOBAL ID：200903093274043265
半導体レーザ装置および光増幅装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-367479
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168844
出願日： 2001年11月30日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：
【要約】【課題】 発振波長を一定に保つために、温度モニタ、温度制御器および冷却器などからなる温度制御機構が必要になり、構成が複雑になってしまうという課題があった。【解決手段】 光ファイバグレーティング30が形成されるとともに、レーザ光を導波する光ファイバ20と、SQW活性層41を有してレーザ光を出射する半導体レーザ素子11と、半導体レーザ素子11から出射したレーザ光を光ファイバ20へ結合する結合光学系15とから構成されるポンプレーザモジュール10とを備えるようにする。
請求項（抜粋）：
光ファイバグレーティングが形成されるとともに、レーザ光を導波する光ファイバと、単一量子井戸からなる活性層を有し、上記レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、上記半導体レーザ素子から出射した上記レーザ光を上記光ファイバへ結合する結合光学系とから構成されるポンプレーザモジュールとを備えることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
5F072AB09
, 5F072AK06
, 5F072JJ05
, 5F072KK07
, 5F072PP07
, 5F072YY17
, 5F073AA43
, 5F073AA73
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AB25
, 5F073AB28
, 5F073AB29
, 5F073BA01
, 5F073BA09
, 5F073EA03
, 5F073FA06
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
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