特許

J-GLOBAL ID：200903093275503588

シリコン酸化膜の作製方法

発明者： 中野 浩児 ,  堀江 哲弘 ,  坂本 仁志
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-214362
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064030
出願日： 1995年08月23日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 基板を高温にさらすことなく、シリコン基板表面の所望領域だけに成膜することができるシリコン酸化膜の作製方法を提供しようとするものである。【解決手段】 真空容器にシリコン原料ガスと酸素含有ガスを導入し、シリコン基板の所定部位にシリコン酸化膜を作製する方法において、ビーム径を10オングストローム〜1mmの範囲に絞った電子線を走査するか、前記基板を移動してシリコン酸化膜作製部位に照射し、シリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の作製方法である。

請求項（抜粋）：

真空容器にシリコン原料ガスと酸素含有ガスを導入し、シリコン基板の所定部位にシリコン酸化膜を作製する方法において、ビーム径を10オングストローム〜1mmの範囲に絞った電子線を走査するか、前記基板を移動してシリコン酸化膜作製部位に照射し、シリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  B01J 19/12 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/316 X ,  B01J 19/12 G ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコン酸化膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-205122   出願人：三菱重工業株式会社
• 特開昭60-046372