特許
J-GLOBAL ID：200903093310693603
半導体光スイッチ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-067014
公開番号（公開出願番号）：特開平6-281976
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 簡単な製作プロセスで低損失の半導体光スイッチを提供する。【構成】 光方向性結合器と光増幅用導波路とパッシブ導波路とが半導体基板上に集積化された半導体光スイッチにおいて、リッジ幅や高さおよびその両側の溝幅の少なくとも一つが導波方向に沿って変化するようにあらかじめ半導体基板上にリッジ構造を形成しかつ少なくとも光増幅用導波路領域のリッジ5の両側に溝6を形成し、リッジ構造上に前記光方向性結合器と光増幅用導波路とパッシブ導波路とを形成し、前記光増幅用導波路のコア部のバンドギャップ波長が前記光方向性結合器およびパッシブ導波路のバンドギャップ波長より大きく、当該光増幅用導波路のコア20と当該光方向性結合器およびパッシブ導波路のコア21とが結晶成長の再成長界面を横切ることなく接続しているようにする。
請求項（抜粋）：
光方向性結合器と光増幅用導波路とパッシブ導波路とが半導体基板上に集積化された半導体光スイッチにおいて、前記半導体基板上にあらかじめ形成されたリッジ構造上に前記光方向性結合器と光増幅用導波路とパッシブ導波路とが形成されており、該リッジの幅や高さおよびその両側の溝の幅の少なくとも一つが光の導波方向に沿って変化しかつ少なくとも光増幅用導波路領域のリッジは両側に溝を有するチャネル構造であり、前記光増幅用導波路のコア部のバンドギャップ波長が前記光方向性結合器およびパッシブ導波路のバンドギャップ波長より大きく、当該光増幅用導波路のコア部と当該光方向性結合器およびパッシブ導波路とが結晶成長の再成長界面を横切ることなく接続していることを特徴とする半導体光スイッチ。
IPC (3件)：
G02F 1/35
, G02B 6/12
, G02F 1/313
