特許
J-GLOBAL ID:200903093327536714
過電圧保護回路と過電圧保護機能を備えた信号処理IC
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-287248
公開番号(公開出願番号):特開2000-101936
出願日: 1998年09月24日
公開日(公表日): 2000年04月07日
要約:
【要約】【課題】 頻繁な電源投入・遮断に基づく、過電圧の印加による信号処理ICの動作特性の劣化を防止する過電圧保護回路を提供する。【解決手段】 CCD1の出力信号F1が、結合コンデンサC1で信号処理IC2に交流結合され、入力信号F2が、信号処理IC2でAD変換、信号処理されるが、信号処理IC2の電源とアース間に、抵抗R1とコンデンサC2が直列に接続され、入力端子t2と抵抗R1及びコンデンサC2の接続点間に、ダイオードD1が接続され、コンデンサC2の端子電圧Vcは、電源電圧VDDが、抵抗R1とコンデンサC2の時定数で定まる応答遅延特性で変化され、信号処理IC2の入力信号F2は、ダイオードD1の順方向電圧をVFとして、F2=Vc+VFとなり、電源電圧VDDよりも十分に低く、低消費電力モードを備えた機器に適用され、頻繁な電源投入・遮断が生じても、信号処理IC2の動作特性の劣化の防止が可能になる。
請求項(抜粋):
CCDから入力光量に応じて出力される撮像信号が、結合コンデンサにより交流結合され、前記撮像信号をディジタルデータに変換し、信号処理を行なう信号処理ICを過電圧から保護する過電圧保護回路であり、前記信号処理ICの電源端子とアース間に接続された抵抗及びコンデンサの直列接続回路と、前記信号処理ICの入力端子と前記抵抗及び前記コンデンサの接続点間に、該接続点側をカソードにして接続されたダイオードとを有することを特徴とする過電圧保護回路。
IPC (5件):
H04N 5/335
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/06
, H01L 27/14
FI (5件):
H04N 5/335 Z
, H04N 5/335 F
, H01L 27/04 H
, H01L 27/06 311 B
, H01L 27/14 Z
引用特許:
審査官引用 (3件)
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半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-344334
出願人:株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
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特開平2-002202
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トランジスタ保護回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-111599
出願人:沖電気工業株式会社
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