特許

J-GLOBAL ID：200903093332758318

半導体装置の製造方法

発明者： 山下 敦子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-012411
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203887
出願日： 1995年01月30日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の多層配線工程中の層間絶縁膜形成工程にリフロー絶縁膜形成技術を採用した場合に得られるリフロー絶縁膜の比誘電率を高くし、平坦性に優れた層間絶縁膜を平坦化工程を行うことなく低コストで実現する。【構成】半導体基板を収容した反応室内に、Si-H基を有する芳香族化合物もしくは複素環式化合物とH2 O2 とを導入し、665Pa以下の真空中、-10°C以上+10°C以下の温度範囲内で互いに反応させ、半導体基板上にSi-H基によりリフローが促進された平坦性が良好な中間反応生成物を得る工程と、得られた中間反応生成物が脱水反応を生じるように熱処理を行うことにより、リフロー形状を有し、網目構造を有する誘電率が低いシリコン系酸化膜を得る工程とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板を収容した反応室内に、Si-H基を有する芳香族化合物もしくは複素環式化合物とH2 O2 とを導入し、665Pa以下の真空中、-10°C以上+10°C以下の温度範囲内で互いに反応させ、上記半導体基板上にSi-H基によりリフローが促進された平坦性が良好な中間反応生成物を得る工程と、上記工程により得られた中間反応生成物が脱水反応を生じるように熱処理を行うことにより、リフロー形状を有し、網目構造を有する誘電率が低いシリコン系酸化膜を得る工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-233211   出願人：川崎製鉄株式会社