特許
J-GLOBAL ID：200903093335258545

半導体装置の作製方法及び現像装置

発明者：
永井 雅晴

永井 雅晴 について

, 
上原 一郎

上原 一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-101633
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006788
出願日： 2003年04月04日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【課題】所望の側壁角を得る為にガラス転移温度以上の温度でベーク処理するレジストパターン形成方法では、レジスト除去が困難になる。この為、ガラス転移温度以上でベーク処理するレジストパターン形成方法では、レジスト除去性に対するプロセス余裕度を確保できず、所望の側壁角を有するレジストパターンの形成と当該レジストパターンの除去性を両立できない問題が懸念される。本発明は、上記問題を解決することを課題とする。【解決手段】感光材を含むポジ型レジストから成るレジストパターンを形成し、当該レジストパターンに感光剤の感光波長域の光を照射し、当該レジストパターンをガラス転移温度以上の温度でベーク処理することを特徴としている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被加工物上に感光材を含むポジ型レジストから成るレジストパターンを形成した後、 前記レジストパターンに前記感光剤の感光波長域の光を照射し、 前記レジストパターンを前記感光材を含むポジ型レジストのガラス転移温度以上の温度でベーク処理すること、 を特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (9件)：
H01L21/027 ,  G02F1/1368 ,  G03F7/40 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786
FI (11件)：
H01L21/30 576 ,  G02F1/1368 ,  G03F7/40 501 ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/30 572A ,  H01L29/44 S ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 616A ,  H01L21/302 105A
Fターム (112件)：
2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA34 ,  2H092JA35 ,  2H092JA38 ,  2H092JA41 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB61 ,  2H092KA04 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA22 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA25 ,  2H092NA29 ,  2H092RA05 ,  2H096AA25 ,  2H096BA10 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB18 ,  4M104BB32 ,  4M104CC05 ,  4M104DD62 ,  4M104DD66 ,  4M104DD71 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F004BA20 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB10 ,  5F004DB12 ,  5F004EA01 ,  5F046LA18 ,  5F046MA03 ,  5F046MA12 ,  5F046MA17 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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