特許

J-GLOBAL ID：200903093336504833

半導体の特性評価装置

発明者： 鳥羽 隆一
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (2件)： 平山 一幸 ,  海津 保三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-289305
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108186
出願日： 2004年09月30日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：

【課題】口径の異なるインゴットに対しても複雑な光学系の調整が不要で、インゴットのフォトルミネッセンススペクトルの分布を求め得る半導体の特性評価装置を提供する。【解決手段】インゴット1の半導体結晶を保持するインゴット保持機構6と、ウェハ9の半導体結晶を保持するウェハ保持機構9とを備え、インゴット保持機構6とウェハ保持機構9とが交換可能に設けられる。インゴット1の口径が異なっても半導体結晶への励起光としてのレーザ光の照射及びフォトルミネッセンス光PL1の集光を行う光学系の調整をしないでインゴット1を保持できる。半導体インゴットやウェハのキャリア濃度やその一次元及び二次元の分布測定を、容易に、高速で、かつ、高精度で行うことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

フォトルミネッセンス法を用いた半導体の特性評価装置において、 インゴットの半導体結晶を保持するインゴット保持機構と、 ウェハの半導体結晶を保持するウェハ保持機構と、を備え、 上記インゴット保持機構と上記ウェハ保持機構とが交換可能に設けられることを特徴とする、半導体の特性評価装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/64

FI (2件)：

H01L21/66 L ,  G01N21/64 Z

Fターム (20件)：

2G043AA03 ,  2G043CA05 ,  2G043CA07 ,  2G043EA01 ,  2G043FA01 ,  2G043HA01 ,  2G043HA02 ,  2G043JA04 ,  2G043LA01 ,  2G043NA01 ,  2G043NA06 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA10 ,  4M106CA18 ,  4M106CB01 ,  4M106CB12 ,  4M106DA15 ,  4M106DJ03 ,  4M106DJ11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体の特性評価方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-345480   出願人：同和鉱業株式会社