特許
J-GLOBAL ID：200903093342599501
熱処理用治具およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
福田 保夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-356183
公開番号（公開出願番号）：特開平9-235163
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体製造用の熱処理用部材として好適な耐熱サイクル特性、耐熱衝撃特性に優れた熱処理用治具およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 シリコンを含浸した炭化珪素基材にCVD法によりSiCの被膜を形成したSiC被覆炭化珪素材であって、炭化珪素基材が、SiC被膜に接する界面より200 μm 以内の基材表層部に、該表層部を走査型電子顕微鏡により400 倍の倍率で観察測定した場合に直径2 μm 以上の気孔が存在しない熱処理用治具。当該熱処理用治具の製造方法は、シリコンを含浸した炭化珪素基材の表面にCVD法によりSiC被膜を形成するに当たり、SiC被膜を形成する原料化合物を導入し、非酸化性雰囲気中、1000〜1290°Cの温度、500〜760Torrの圧力でSiC被膜を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコンを含浸した炭化珪素基材にCVD法によりSiCの被膜を形成したSiC被覆炭化珪素材であって、炭化珪素基材が、SiC被膜に接する界面より200μm 以内の基材表層部に、該表層部を走査型電子顕微鏡により400倍の倍率で観察測定した場合に直径2μm 以上の気孔が存在しないことを特徴とする熱処理用治具。
IPC (4件)：
C04B 35/565
, C04B 41/85
, C04B 41/87
, H01L 21/22 501
C04B 35/56 101 X
, C04B 41/85 B
, C04B 41/87 P
, H01L 21/22 501 M
