特許

J-GLOBAL ID：200903093346402460

スパッターリングターゲット材

発明者： 土屋 満
出願人/特許権者： 東京タングステン株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-123088
公開番号（公開出願番号）：特開2000-319774
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月21日
要約：

【要約】【課題】 均一な粒径のW/MoターゲットとWターゲットが得られ、それによりスパッター時のパーティクルやシート抵抗値が低下し、製品生産性並びに歩留を顕著に向上し得るスパッターリングターゲット材を提供すること。【解決手段】 スパッターリングターゲット材は、W/Mo合金圧延板又はW圧延材を熱処理する事により得られる再結晶板であって、再結晶粒径の平均が100μm以下である。

請求項（抜粋）：

W/Mo合金圧延板又はW圧延材を熱処理する事により得られる再結晶板であって、再結晶粒径の平均が100μm以下であることを特徴とするスパッターリングターゲット材。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C22C 27/04 101

FI (2件)：

C23C 14/34 A ,  C22C 27/04 101

Fターム (5件)：

4K029BD00 ,  4K029DC03 ,  4K029DC04 ,  4K029DC07 ,  4K029DC09

引用特許：

審査官引用 (1件)

• TFT製造用スパッタリングタ-ゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-079056   出願人：日鉱金属株式会社