半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-018247
公開番号（公開出願番号）：特開2000-215668
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】ダイレクトセンス方式を適用して動作の高速化を実現でき、かつチップ面積を削減できる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】読み出しトランジスタTN4,TN5のゲートはセンスアンプビット線BLX,BLZに接続される。該トランジスタ4,5は、ビット線対BLZ,BLXの電位に応じてデータ線対DZ,DXを所定電位に駆動することによりビット線対BLZ,BLXのデータをデータバス線対DBZ,DBXに伝達する。電位差スイッチ回路21がデータ線対DZ,DXとビット線対BLZ,BLXとの間に設けられ、書き込み時にデータ線対DZ,DXとビット線対BLZ,BLXとの間に電位差が生じたときに導通し、データバス線対DBZ,DBXのデータをビット線対BLZ,BLXに伝達する。

請求項（抜粋）：

センスアンプに接続されたセンスアンプビット線対と、前記センスアンプビット線対にそれぞれのゲートが接続され、当該センスアンプビット線対の電位レベルに応じて、データ線対を所定電位に駆動することにより、前記センスアンプビット線対のデータをデータ線対に伝達する一対の読み出しトランジスタと、前記データ線対と前記センスアンプビット線対との間に設けられ、書き込み時において、データ線対とセンスアンプビット線対との間に生じた電位差に応答して、データ線対に印加された書き込みデータをセンスアンプビット線対に伝達する電位差スイッチ回路とを備えることを特徴とする半導体記憶装置。

Fターム (7件)：

5B024AA01 , 5B024AA07 , 5B024AA15 , 5B024BA15 , 5B024BA25 , 5B024BA29 , 5B024CA07

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-043728 出願人：富士通株式会社
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-184285 出願人：日本電気株式会社

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