特許
J-GLOBAL ID：200903048302335158
選択成長法を用いた窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法及び窒化ガリウム系半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-343125
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190142
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 選択成長法を用いて電流狭窄構造を形成することにより、ドライエッチング工程の少なく、かつ、サイズ制御性に優れた窒化ガリウム系レーザの製造方法を提供すること、および、前記製造方法により、発振しきい値電流が小さく、かつ、抵抗が小さい窒化ガリウム系レーザを提供する。【解決手段】 基板上に、n型窒化ガリウム系半導体層を形成し、活性層を形成し、p型窒化ガリウム系半導体層を形成し、ストライプ状の開口部を持つ絶縁体膜を形成し、選択成長法によりp型窒化ガリウム系半導体層を形成する。半導体が六方晶であって、かつ、その表面が(0001)面であって、かつ、絶縁体膜のストライプ方向を半導体結晶の[1-100]方向に形成することが望ましい。
請求項（抜粋）：
基板上に、一般式InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表される第1導電型半導体層を少なくとも一層形成する工程と、前記第1導電型半導体層の表面にストライプ状の開口部を有する絶縁体膜を形成する工程と、前記絶縁体膜の開口部にのみ一般式InxGa1-xN(0≦x≦1)で表される第2導電型半導体層または高抵抗半導体層からなる電流ブロック層を形成する工程と、前記絶縁体膜を除去する工程と、一般式InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表される第2の第1導電型半導体層を少なくとも一層形成し、前記第2導電型半導体層または高抵抗半導体層の間の領域を埋め込む工程と、一般式InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表されるバルクまたは量子井戸活性層を形成する工程と、一般式InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表される第2の第2導電型半導体層を少なくとも一層形成する工程を有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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