特許

J-GLOBAL ID：200903093404155176

シリルエチニル基類を有するアセン-チオフェンの共重合体類を含む電子機器

発明者： チュー,ペイワン ,  ボーゲル,デニス イー. ,  リー,ツー-チェン ,  ガーラック,クリストファー ピー.
出願人/特許権者： スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  出野 知
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-506695
公開番号（公開出願番号）：特表2009-534853
出願日： 2007年04月13日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：

アセン-チオフェン共重合体を含む電子機器、及びこのような電子機器の作製方法を記載する。より具体的には、該アセン-チオフェン共重合体は、結合したシリルエチニル基類を有する。該共重合体は、半導体層、又は第1の電極と第2の電極との間に配置される層に使用することができる。

請求項（抜粋）：

式Iのアセン-チオフェンの共重合体を備える電子機器であって、

IPC (8件)：

H01L 51/30 ,  H01L 51/50 ,  C08G 61/12 ,  C09K 11/06 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/42

FI (10件)：

H01L29/28 250G ,  H05B33/14 B ,  H05B33/22 D ,  C08G61/12 ,  C09K11/06 680 ,  C09K11/06 690 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  H01L29/78 618B ,  H01L31/04 D

Fターム (44件)：

3K107AA01 ,  3K107CC21 ,  3K107DD61 ,  3K107DD71 ,  3K107DD79 ,  4J032BA02 ,  4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032BA07 ,  4J032BB06 ,  4J032BC03 ,  4J032CA12 ,  4J032CB04 ,  4J032CD02 ,  4J032CE03 ,  4J032CG01 ,  5F051AA11 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 有機半導体層およびその改善
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-540612   出願人：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Organic Field-Effect Transistors from Solution-Deposited Functionalized Acenes with Mobilities as Hi