特許

J-GLOBAL ID：200903093439779199

不揮発性磁気メモリ・セルおよび装置

発明者： アルナヴァ・グプタ ,  ラジヴィ・ヴイ・ジョシ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-198532
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082791
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】 改良されたMTJセル構造およびメモリ装置アーキテクチャを提供する。【解決手段】メモリおよび論理切り換え用途に使用するための磁気トンネル接合セルが、第一の強磁性層と、第二の強磁性層と、第一および第二の強磁性層の間に介挿されて磁気トンネル接合素子を形成する絶縁層とで形成される。セルはさらに、第一の方向に並べられ、第一の強磁性層に隣接して位置する第一の導体セグメントと、第一の方向に対して実質的に直交する第二の方向に並べられ、第二の強磁性層に隣接して位置する第二の導体セグメントとを有する書き込み導体を含む。書き込み導体は、モノポーラ書き込み電圧および唯一の単一ポート書き込み端子を使用して双方向電流を書き込み導体中に発生させることを可能にする容量性構造によって終端される。双方向電流は、第一の電流方向で高インピーダンス状態をセルに書き込み、第二の電流方向で低インピーダンス状態をセルに書き込む。

請求項（抜粋）：

第一の強磁性層と、第二の強磁性層と、前記第一および第二の強磁性層の間に介挿された絶縁層と、第一の方向に並べられ、前記第一の強磁性層に隣接する第一の導体セグメントと、前記第一の方向に対して実質的に直交する第二の方向に並べられ、前記第二の強磁性層に隣接する第二の導体セグメントとを含む書き込み導体と、前記第一および第二の導体セグメントを終端させ、書き込み信号の存在で双方向電流を前記導体信号中に可能にする回路構造と、を含むことを特徴とする磁気トンネル接合セル。

IPC (4件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/14 ,  H01F 10/06 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/14 A ,  H01F 10/06 ,  H01L 43/08 Z

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭57-071171
  
• 特開昭63-164261
  
• 磁気メモリデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-137246   出願人：沖電気工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 特開昭57-071171
  
• 特開昭57-071171
  
• 特開昭63-164261
  
• 特開昭63-164261