特許
J-GLOBAL ID：200903095735080217
磁気メモリデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-137246
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320257
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 製造が容易で信頼性に優れる磁気メモリデバイスを提供する。【解決手段】 第1および第2の強磁性体層13b,13d を含み、磁界の印加条件によって前記第1および第2の強磁性体層の磁化方向が同じかまたは逆となり、該磁化方向に応じて第1の抵抗値または第2の抵抗値を示し、かつ、磁気抵抗曲線がヒステリシス特性を示す情報記録部(M11〜M23〜)を、基板11に多数具える磁気メモリデバイスにおいて、基板11上に、第1の強磁性体層および第2の強磁性体層を含む情報記録部形成用の積層膜13であって少なくとも前記多数の情報記録部を設けることのできる面積をもって前記基板面に平行な方向で連続している積層膜13を設ける。そしてこの積層膜13の平面的に点在する局所部分(M11〜M23〜)それぞれで情報記録部を構成する。
請求項（抜粋）：
第1および第2の強磁性体層を含み、磁界の印加条件によって前記第1および第2の強磁性体層の磁化方向が同じかまたは逆となり、該磁化方向に応じて第1の抵抗値または第2の抵抗値を示し、かつ、磁気抵抗曲線がヒステリシス特性を示す情報記録部を、基板に多数具え、しかも、電流が供給されてそれにより前記多数の情報記録部に選択的に前記磁界を与えるための記録電流供給線群と、前記多数の情報記録部のうちの任意の情報記録部の抵抗値を検出するための抵抗値検出線群とを具える磁気メモリデバイスにおいて、第1の強磁性体層および第2の強磁性体層を含む情報記録部形成用の積層膜であって少なくとも前記多数の情報記録部を設けることのできる面積をもって前記基板面に平行な方向で連続している積層膜を、基板上に設けてあり、前記積層膜の平面的に点在する局所それぞれで前記情報記録部を構成してあることを特徴とする磁気メモリデバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/14 F
, H01L 43/08 Z
