特許
J-GLOBAL ID：200903093454046963

デュアルダマシン構造体及びその形成方法、並びに半導体装置及びその製造方法

発明者：
森川 泰宏

森川 泰宏 について

, 
林 俊雄

林 俊雄 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (1件)： 打揚 洋次 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-370753
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174085
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】 エッチングストップ膜なしの、形状の良い溝配線を有し、配線遅延の起こらないデュアルダマシン構造体及びその形成方法、並びに半導体装置及びその製造方法の提供。【解決手段】 基板上に、第1絶縁膜、有機Low-k材料からなる層間絶縁膜、第2絶縁膜をこの順に形成し、ハロゲン化炭素又はハロゲン化炭化水素ガスを用いて、基板の上面まで一括してエッチング除去してビアホールを形成し、次いで、同じハロゲン化ガスを用いて、層間絶縁膜の上面まで第2絶縁膜をエッチング除去し、N2、H2、NH3、又はO2ガス等を用いて、層間絶縁膜トレンチエッチングを行って配線溝を形成し、この配線溝を埋設するようにCu配線層を形成し、得られた積層表面に対してCMPにより表面平坦化処理を行い、Cu配線膜を形成する。
請求項（抜粋）：
基板に設けられた配線層上に、第1絶縁膜として有機ケイ素化合物膜又は多孔質酸化シリコン膜、及び有機Low-k材料からなる層間絶縁膜を順に設けてなり、さらに配線溝内にCu配線膜が埋設されていることを特徴とするCuデュアルダマシン構造体。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205
FI (4件)：
H01L 21/90 J ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 C
Fターム (35件)：
5F004AA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004EB02 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP17 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR26 ,  5F033RR29 ,  5F033SS11 ,  5F033XX27
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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