特許

J-GLOBAL ID：200903093473166465

汚染された不均質土壌の現場矯正

発明者： ブロドスキー,フイリツプ・ハイマン ,  ホー,サ・バン
出願人/特許権者： モンサント・カンパニー
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-503536
公開番号（公開出願番号）：特表平8-511990
出願日： 1994年06月16日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】汚染された不均質土壌領域の現場改善矯正は次の工程からなっている:(a)汚染された不均質土壌領域における汚染物質を処理するための材料を汚染された不均質土壌領域内の少なくとも1つの液体浸透性領域に導入して汚染された不均質土壌領域内に少なくとも1つの処理区域を形成させ、(b)汚染された不均質土壌領域内の少なくとも1つの低浸透性土壌領域に第1電極と反対の電荷を有する第2電極との間で直流電流を流し、ここで(i)第1電極を汚染された不均質土壌領域の第1端部に位置せしめると共に第2電極を汚染された不均質土壌領域の反対側端部に位置せしめ、または(ii)第1電極を低浸透性土壌領域のそれぞれの第1端部に位置せしめると共に第2電極を低浸透性土壌領域のそれぞれの反対側端部に位置せしめることにより(1)第2電極から第1電極まで電気浸透圧流を生ぜしめ、(2)反対の電荷の電極の方向にイオン性汚染物質の電気移動運動を生ぜしめ、または(3)第2電極から第1電極まで電気浸透圧流を生ぜしめると共に反対の電荷の電極の方向にイオン性汚染物質の電気移動運動を生ぜしめ、さらに(c)汚染された不均質土壌領域を横切る液圧勾配を加えて汚染された不均質土壌領域の高圧端部から汚染された不均質土壌領域の低圧端部まで液圧流を生ぜしめる。

請求項（抜粋）：

汚染された不均質土壌領域を現場矯正するに際し:(a)前記汚染された不均質土壌領域における汚染物質を処理するための微生物、栄養源、電子受容体、触媒、吸着剤、表面活性剤、電子供与体、共存代謝物、キレート剤、イオン交換樹脂、緩衝剤、塩類およびその組合せ物よりなる群から選択される材料を前記汚染された不均質土壌領域内の少なくとも1つの液体浸透性領域に導入して、前記汚染された不均質土壌領域内に少なくとも1つの処理区域を形成させ、(b)前記汚染された不均質土壌領域内の少なくとも1つの低浸透性土壌領域に第1電極と反対の電荷を有する第2電極との間で直流電流を通し、ここで(i)前記第1電極を前記汚染された不均質土壌領域の第1端部に位置せしめると共に第2電極を前記汚染された不均質土壌領域の反対側端部に位置せしめ、または(ii)前記第1電極を前記低浸透性土壌領域のそれぞれの第1端部に位置せしめると共に前記第2電極を前記低浸透性土壌領域のそれぞれの反対側端部に位置せしめることにより(1)前記第2電極から前記第1電極まで電気浸透圧流を生ぜしめ、(2)反対の電荷の電極の方向にイオン性汚染物質の電気移動運動を生ぜしめ、または(3)前記第2電極から前記第1電極まで電気浸透圧流を生ぜしめると共に反対の電荷の電極の方向にイオン性汚染物質の電気移動運動を生ぜしめ、(c)前記汚染された不均質土壌領域を横切る液圧勾配を加えて前記汚染された不均質土壌領域の高圧端部から前記汚染された不均質土壌領域の低圧端部まで液圧流を生ぜしめることを特徴とする汚染された不均質土壌領域の現場矯正方法。

IPC (3件)：

B09C 1/02 ,  A62D 3/00 ZAB ,  B09C 1/08

FI (2件)：

B09B 3/00 304 K ,  A62D 3/00 ZAB

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 汚染土壌の処理方法とその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-244356   出願人：山嵜照彦, 首藤五郎