特許

J-GLOBAL ID：200903093502814838

半導体装置及びその製造方法

発明者： 杉崎 太郎
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-140314
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334939
出願日： 2001年05月10日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】 デュアルゲート電極を有する半導体装置及びその製造方法に関し、N型MOSトランジスタの能力を劣化することなくP型ゲート電極からのボロンの熱抜けを防止しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板10の素子領域14に形成されたゲート絶縁膜24と、ゲート絶縁膜24上に形成され、ボロンを含むシリコン層32pを有するゲート電極40pと、シリコン基板10の素子領域16に形成されたゲート絶縁膜26と、ゲート絶縁膜26上に形成され、ドナー不純物を含むシリコン層32nを有するゲート電極40nとを有し、ゲート絶縁膜24は、ゲート絶縁膜26よりも窒素を多く含み、窒素濃度のピークが、シリコン基板10とゲート絶縁膜24との界面に位置している。

請求項（抜粋）：

第1の領域と第2の領域とを有するシリコン基板と、前記シリコン基板の前記第1の領域に形成された第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜上に形成され、ボロンを含むシリコン層を有する第1のゲート電極と、前記シリコン基板の前記第2の領域に形成された第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜上に形成され、ドナー不純物を含むシリコン層を有する第2のゲート電極とを有し、前記第1のゲート絶縁膜は、前記第2のゲート絶縁膜よりも窒素を多く含み、窒素濃度のピークが、前記シリコン基板と前記第1のゲート絶縁膜との界面に位置していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (40件)：

5F048AC03 ,  5F048BB04 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB13 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048DA27 ,  5F140AA06 ,  5F140AA28 ,  5F140AB03 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE15 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BF04 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF27 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG22 ,  5F140BG24 ,  5F140BG30 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-236792   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開平4-157766
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-294094   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開平4-157766