特許
J-GLOBAL ID:200903093532587968

微小3極真空管およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-070153
公開番号(公開出願番号):特開平7-254370
出願日: 1994年03月15日
公開日(公表日): 1995年10月03日
要約:
【要約】【目的】電界放出効率の向上化、アレイ化したときの均一性の向上化、消費電力の低減化、耐久性の向上化を図れる微小3極真空管およびその製造方法を提供する。【構成】先端部が尖鋭な凸状のエミッタ部21を有したエミッタ材料層14と、このエミッタ材料層14上でエミッタ部21の先端部を除く部分に設けられた第1の絶縁層13と、この第1の絶縁層13上にエミッタ部21の先端部周面を囲むように設けられたゲート電極層19と、エミッタ部21の先端部に対向して設けられたアノード電極層23と、このアノード電極層23とゲート電極層19との間にエミッタ部21の先端部、アノード電極層23の一部およびゲート電極層19の一部からなる3極対向空間25を残して設けられた第2の絶縁層22とを備えている。
請求項(抜粋):
先端部が尖鋭な凸状のエミッタ部を有したエミッタ材料層と、このエミッタ材料層上で前記エミッタ部の先端部を除く部分に設けられた第1の絶縁層と、この第1の絶縁層上に前記エミッタ部の先端部周面を囲むように設けられたゲート電極層と、前記エミッタ部の先端部に対向して設けられたアノード電極層と、このアノード電極層と前記ゲート電極層との間に前記エミッタ部の先端部、前記アノード電極層の一部および前記ゲート電極層の一部からなる3極対向空間を残して設けられた第2の絶縁層とを具備してなることを特徴とする微小3極真空管。
IPC (3件):
H01J 21/06 ,  H01J 1/30 ,  H01J 9/02

前のページに戻る